Открыт новый принцип работы памяти

Полупроводниковые компоненты смартфонов и компьютеров, которыми мы пользуемся каждый день, также должны быть значительно тоньше, чтобы устройства были тоньше и легче. Однако традиционные сегнетоэлектрические материалы, используемые для хранения информации, имеют ограничения: их производительность резко снижается при уменьшении толщины, и для их обработки часто требуются сложные процессы. Поэтому активно ведутся исследования новых подходов, которые позволят реализовать свойства памяти (сегнетоэлектричество) в ультратонких материалах без использования традиционных сегнетоэлектрических материалов.

Исследовательская группа из  KAIST решила эту проблему с помощью нелогичного на первый взгляд подхода, который позволяет искусственно вызвать сегнетоэлектричество путём объединения несегнетоэлектрических материалов. Они разработали революционную структуру, в которой ультратонкий изолирующий слой (hBN) расположен между графеном, который часто называют материалом мечты, и α-RuCl₃.

Команда исследователей подтвердила, что в этой структуре заряды на границе раздела спонтанно перестраиваются, образуя электрические диполи, которые могут хранить информацию подобно сегнетоэлектрическому материалу. Информацию можно записывать и стирать с помощью электричества, как будто включая и выключая переключатель.