Kioxia начала поставку образцов NAND TLC (Triple-Level Cell) емкостью 1 ТБ на основе технологии BiCS FLASH 3D NAND 10-го поколения

Ключевой особенностью BiCS FLASH 10-го поколения от Kioxia является стратегический выбор в пользу 332-слойной архитектуры. Традиционно в индустрии NAND плотность битов и стоимость снижались за счет увеличения количества слоев, и конкуренты Kioxia также работают над продуктами, в которых количество слоев превышает 400.

Однако, руководство Kioxia отмечает , что чрезмерное увеличение количества слоев может создать новые проблемы. По словам Ацуси Иноуэ, генерального директора подразделения по производству памяти в Kioxia, при очень большом количестве слоев — например, более 400 — энергопотребление увеличивается по мере активации большего количества слоев памяти во время операций чтения и записи. Кроме того, при дальнейшем наращивании слоев могут потребоваться более тонкие слои ячеек, что может привести к снижению удержания заряда и вызвать опасения по поводу долгосрочной надежности.

Примечательно, что 332-слойная структура NAND от Kioxia, по данным EE Times Japan, может снизить стоимость гигабайта примерно на 10% по сравнению с 400-слойными структурами, а также обеспечить примерно на 10% более высокую энергоэффективность и примерно на 35% более высокую надёжность ячеек памяти.

Ещё одной ключевой особенностью BiCS FLASH 10-го поколения от Kioxia является дальнейшее использование технологии CBA (CMOS, непосредственно соединённая с массивом), как сообщает EE Times Japan. Компания Kioxia впервые представила технологию CBA в 8-м поколении, что, по некоторым данным, позволило ей достичь скорости интерфейса 3,6 Гбит/с. По словам Иноуэ, и 9-е, и 10-е поколения обеспечивают скорость интерфейса 4,8 Гбит/с, что увеличивает отрыв Kioxia от конкурентов примерно на год.