Samsung представила первую в отрасли 400-слойную память V10 BV-NAND

Последняя разработка Samsung в области V-NAND появилась на фоне растущего спроса на системы хранения данных, использующие искусственный интеллект. Reuters отмечает, что по мере того, как ИИ стал использоваться не только для обучения больших языковых моделей, но и для генерации ответов на запросы пользователей, возросла потребность в энергонезависимой памяти NAND большой емкости. Флэш-память NAND широко используется для хранения данных, включая фотографии, видео и приложения, в таких устройствах, как смартфоны.

10 BV-NAND для создания такой сверхвысокой стопки используется технология соединения пластин и 3-Stack. По сравнению с предыдущим поколением V9 плотность памяти увеличилась примерно на 58 %, а также улучшились показатели чтения/записи и скорость ввода-вывода.

Компания Samsung также впервые представила zNAND-O — технологию NAND нового поколения, сочетающую в себе скорость DRAM и емкость накопителя NAND. По данным TrendForce, ожидается, что эта технология будет поддерживать широкий спектр приложений, в том числе искусственный интеллект на устройствах, таких как ПК с ИИ, смартфоны с ИИ, роботы с ИИ и серверы с ИИ.

 Также Samsung представила технологию zHBM, которая может обеспечить до восьми раз более высокую производительность, чем HBM5. Эта технология также позволяет клиентам интегрировать пользовательскую интеллектуальную собственность (ИС) между памятью и ускорителем искусственного интеллекта, что дает возможность разрабатывать полупроводниковые решения для ИИ с учетом специфики приложений. Samsung также представила технологию HBM5, которая обеспечивает в два раза более высокую производительность, чем HBM4E, при этом снижая тепловое сопротивление на 20%. В HBM5 от Samsung используется новая технология терморегулирования под названием Heat Path Block (HPB), которая снижает тепловыделение и повышает надежность.