Россия будет производить силовую электронику на азиатских кремниевых пластинах. В стране их производство, возможно, так и не будет создано. Это дорого и может оказаться экономически неэффективным.
Как выяснил CNews, российское производство силовой электроники будет зависеть от азиатских производителей пластин кремния. Об этом на форуме «Микроэлектроника-2025» сообщил руководитель проектной группы Центра перспективной электроники Виталий Бормашов.
«Несмотря на то, что не текущий момент Минпромторгом профинансировано достаточно большое количество работ по созданию полупроводникового кремния для силовой электроники, — отметил Бормашов. — На текущий момент до конца производственная цепочка так и не сделана. И скорее всего, она и не будет сделана».
Поэтому фабрики, которые будут запущены по проекту «Кубик» и «ГаН» будут ориентированы на китайские и малазийские кремниевые пластины.
Бормашов предложил сформировать аванпроект для решения проблемы создания конкурентного масштабируемого производства кремния для силовой электроники.
Как пояснил собеседник среди производителей, в России создавать такое производство дорого и экономически неэффективно. «Это еще миллиарды рублей инвестиций. Однако тут вопрос не в экономике, а в суверенитете», — отметил он.
Несмотря на то, что руководитель проектной группы Центра перспективной электроники сообщил, что высока вероятность отсутствия в России такого производства. Представители «Элемента» сообщили, что стремятся к созданию производства полного цикла.
«И для «Кубика», и для GaN уже сейчас реализуются проекты по созданию производства материалов для подложек, разработке оборудования и участков для эпитаксии пластин, — отметил представитель группы. — Таким образом, к моменту выхода проектов на серийное производство они будут обеспечены необходимыми материалами».
Проектом «ГАН» и «Кубик» занимаются предприятия группы «Элемент». В июле 2025 г. сообщалось, что «Элемент» инвестирует 4,4 млрд рублей в производство силовых транзисторов на нитриде галлия. Нитрид галлия (GaN) — современный полупроводниковый материал, который благодаря своим свойствам позволяет создавать транзисторы, работающие при более высоких температурах, на более высоких частотах, с большей плотностью мощности и энергоэффективностью, чем приборы на основе кремния.
Проект будет запущен на базе одного из ведущих предприятий группы НИИ электронной техники (НИИЭТ) в Воронеже.
Реализация проекта позволит дополнить существующие мощности НИИЭТ по сборке СВЧ- и силовых переключающих GaN-транзисторов кристальным производством электронных компонентов по технологии нитрида галлия и создать первое в России производство нитрид галлиевых транзисторов полного цикла.
Проектная мощность нового кристального производства составит 5,5 тыс. пластин в 200-мм эквиваленте в год. Планируется, что производство транзисторов будет запущено в 2028 г.
Проект реализуется с использованием льготного финансирования, предоставленного Фондом развития промышленности (ФРП) и Сбером.
«Кубик» подразумевает запуск на заводе «Микрон» производства силовых компонентов: транзисторов и диодов из кремния и карбида кремния, выяснил «Коммерсант».
Сроки начала производства не уточняются. В «Элементе» рассчитывают к 2030 г. вывести его на проектную мощность 100 тыс. пластин на кремнии и 40 тыс. пластин на карбиде кремния и обеспечить до 60% спроса в России.