Разработан 2D транзистор из дисульфида молибдена с длиной канала менее 5нм и характеристиками, превосходящими возможности кремния Read more
Исследование свойств оксида гафния открывает новые возможности для производства конденсаторов, памяти и систем охлаждения Read more
Представлен атомарно тонкий сегнетоэлектрический материал, открывающий путь к электронике с низким энергопотреблением Read more
Исследователи разработали способ хранения информации, который может сделать будущую электронику более энергоэффективной Read more