Arm и Samsung вместе работают над 2-нм чипами следующего поколения

Сотрудничество при проектировании между разработчиками и производителями чипов имеет решающее значение для увеличения производительности и минимизации энергопотребления микросхем. Во вторник Arm и Samsung объявили, что они будут совместно оптимизировать конструкцию высокопроизводительных ядер Arm следующего поколения Cortex-X и Cortex-A для будущих технологических процессов Samsung, основанных на многомостовых технологиях Gate-All-around (GAA) для транзисторов (MBCFET).

Сотрудничество сосредоточено на оптимизации ядер процессоров общего назначения Arm Cortex-A и Cortex-X для 2-нм техпроцесса следующего поколения Samsung.

Arm и Samsung заявили, что они адаптируют ядра Arm Cortex-A и Cortex-X для широкого спектра приложений, включая «специализированные микросхемы для центров обработки данных и инфраструктуры нового поколения», смартфоны и различные решения на базе чиплетов, которым необходимы высокопроизводительные общие решения. Ядра ЦП специального назначения.

«Оптимизация процессоров Cortex-X и Cortex-A на новейшем технологическом узле Samsung подчеркивает наше общее видение того, что возможно в мобильных вычислениях, и мы с нетерпением ждем продолжения возможности раздвигать границы, чтобы удовлетворить растущие требования к производительности и эффективности эпохи искусственного интеллекта». «, — сказал Крис Берджи, старший вице-президент и генеральный директор клиентского бизнеса Arm.

В результате совместной работы Arm и Samsung клиенты двух компаний смогут лицензировать 2-нм оптимизированные для Samsung версии ядер Cortex-A или Cortex-X, в зависимости от того, что им нужно, для своих индивидуальных разработок. Это упростит процесс разработки и ускорит выход на рынок, что потенциально означает, что мы можем увидеть 2-нм разработки Samsung для центров обработки данных и смежных приложений скорее раньше, чем позже. Однако на данный момент Arm и Samsung умалчивают о том, когда они ожидают, что первые плоды их сотрудничества будут доступны их общим клиентам.

В отличие от транзисторов FinFET, которые сегодня широко распространены, транзисторы с кольцевым (окружающим) затвором GAA (Gate-All-Around) можно настраивать различными способами для максимизации производительности, оптимизации энергопотребления и/или максимизации плотности транзисторов. Поэтому ожидаются весьма многообещающие результаты от сотрудничества двух технологических гигантов.

Хотя ядра Arm Cortex-A и Cortex-X схожи с точки зрения архитектуры, Cortex-X, как правило, имеет оптимизацию производительности, которая позволяет им работать быстрее. Эти ядра должны получить значительные преимущества от совместной оптимизации дизайна и технологий (DTCO) от Arm и Samsung, когда они появятся, где-то в ближайшие пару лет.