Радиоэлектроника и новые технологии
- по вопросам размещения рекламы -

Цена на Hyper-NA EUV от ASML удвоилась, что повергло в раздумья TSMC, Samsung и Intel

0 266

Гигант полупроводникового оборудования ASML планирует запустить аппараты Hyper-NA Extreme Ultraviolet (EUV) к 2030 году, что знаменует наступление эры Ангстрема для полупроводниковых процессов толщиной менее 1 нанометра. Однако, согласно отчету Chosun Daily, высокая стоимость этого оборудования заставляет TSMC, Samsung и Intel колебаться.

В прошлом году ASML представила EUV-аппарат с более высокой числовой апертурой (high-NA), который превосходит существующую технологию EUV. Теперь, по слухам, ASML выпустит Hyper-NA EUV для процессов длиной менее 1 нм к 2030 году. Эта разработка вызывает серьезные раздумья у TSMC, Samsung и Intel из-за значительных затрат, связанных с приобретением такого передового оборудования.

По информации TrendForce, в настоящее время каждая машина EUV стоит примерно 181 миллион долларов США. Машины EUV с высоким содержанием NA нового поколения стоят от 290 до 362 миллионов долларов США за единицу, в то время как ожидаемая стоимость EUV с высоким содержанием NA может превысить 724 миллиона долларов США, то есть примерно вдвое дороже предыдущего поколения.

TSMC планирует максимально использовать возможности своего существующего EUV-оборудования и использовать их с помощью технологий с несколькими шаблонами. Одновременно компания оценивает масштабы возможного внедрения дополнительного оборудования.

Источник, цитируемый в отчете, упомянул, что, хотя TSMC внедрила технологию EUV после Samsung, ей удалось снизить инвестиционную нагрузку, связанную с внедрением нового оборудования, за счет модернизации существующих инструментов и эффективного использования методов с несколькими шаблонами.
Тот же источник также указал, что TSMC особенно заинтересована в технологиях с несколькими шаблонами. Используя свой обширный опыт и существующую инфраструктуру EUV, TSMC разработала процессы с несколькими шаблонами, стремясь максимально отсрочить внедрение EUV с высоким содержанием NA и Hyper-NA.

TSMC открыто выразила обеспокоенность высокой стоимостью EUV-машин с высоким уровнем NA нового поколения. Старший вице-президент TSMC по развитию бизнеса и со-главный операционный директор, доктор Кевин Чжан, указал, что для разработки процессов толщиной 1,6 нанометра необязательно требуются технологии с высоким содержанием NA.
Чжан далее упомянул, что решение о внедрении новой технологии ASML будет зависеть от того, где она предлагает наибольшие экономические выгоды и технического баланса, которого они могут достичь. Он отказался сообщить, когда TSMC может приобрести EUV с высоким содержанием NA у ASML.

Samsung также рассматривает возможность внедрения оборудования с высоким содержанием NA, но корректирует свою долгосрочную дорожную карту с появлением Hyper-NA. Согласно другому источнику, на который ссылается отчет, в нем утверждается, что выбор high-NA now может быть не лучшим вариантом для долгосрочных планов, которые включают процессы ниже 1 нанометра.

Учитывая появление Hyper-NA, одним из подходов может быть максимальное использование существующих EUV и отказ от high-NA, переход непосредственно на Hyper-NA. Однако это при условии, что оборудование Hyper-NA достигло определенного уровня надежности.

Intel стала первым производителем внедрившим технологию EUV с высоким содержанием NA. В прошлом году ее полупроводниковый бизнес понес убытки в размере 7 миллиардов долларов, а в первом квартале этого года компания столкнулась с рекордными операционными убытками. Одной из причин этих финансовых проблем может быть увеличение затрат на раннее внедрение оборудования EUV следующего поколения.

Компания ASML заявила, что EUV с высоким содержанием NA позволит Intel производить чипы с технологическими узлами от 2 нанометров до 14 ангстрем (1,4 нанометра) и от 10 ангстрем (1 нанометр) до 7 ангстрем (0,7 нанометра). ASML также упомянула, что Hyper-NA будет иметь важное значение для будущих процессов масштаба angstrom, поскольку это может снизить риски, связанные с процессами с несколькими шаблонами.

Оставить комментарий