Компания Micron начала поставлять клиентам образцы памяти HBM4

Образцы основаны на устройствах DRAM объёмом 24 ГБ, изготовленных по технологии 1ß (1-бета) DRAM, а также на логических базовых кристаллах, произведённых TSMC с использованием технологии 12FFC+ (2-нм класс) или N5 (5-нм класс).

Память HBM3E текущего поколения от Micron также имеет объём до 36 ГБ, но оснащена 1024-битным интерфейсом и поддерживает скорость передачи данных до 9,2 Гбит/с, обеспечивая пиковую пропускную способность до 1,2 ТБ/с. При этом новая память HBM4 от Micron может похвастаться более чем на 60% более высокой пропускной способностью, а также на 20% более высокой энергоэффективностью. Кроме того, HBM4 от Micron также включает встроенную функцию тестирования памяти, что упрощает интеграцию для партнёров.

Micron — первый в отрасли производитель DRAM, который официально начал тестирование модулей памяти HBM4 совместно с партнёрами, хотя ожидается, что другие производители, такие как Samsung и SK hynix, вскоре догонят его. Micron и другие производители памяти намерены начать серийное производство HBM4 в 2026 году, когда ведущие разработчики процессоров с искусственным интеллектом начнут серийное производство своих процессоров следующего поколения.