Радиоэлектроника и новые технологии
- по вопросам размещения рекламы -

Новая 16-слойная 3D DRAM от Samsung встряхнёт всю отрасль

0 9

Компания Samsung Electronics успешно разработала 16-ти слойную 3D DRAM следующего поколения, что вдвое больше, чем у ее конкурента Micron.

Согласно сообщениям TheElec и ZDNet Korea, исполнительный вице-президент Samsung Ли Си У упомянул в недавнем интервью, что они успешно объединили 3D DRAM в 16 слоев. Напротив, у Micron создала только 8 слоев. Однако продукт 3D DRAM в настоящее время находится на стадии технико-экономического обоснования; цель состоит в том, чтобы осуществить коммерциализацию к 2030 году.

Ли Си Ву ранее работал директором по исследованиям и разработкам DRAM в Micron и присоединился к Samsung в августе 2023 года. В 3D DRAM используется вертикальное стекирование, которое может увеличить емкость на единицу площади в три раза, что обеспечивает быструю обработку больших объемов данных.

3D DRAM, о которой упоминает Ли Си Ву, представляет собой транзистор с вертикально расположенной матрицей ячеек (VS-CAT). По сравнению с существующими структурами DRAM, 3D DRAM может включать больше ячеек памяти и уменьшать электрические помехи.

В отличие от традиционной DRAM, 3D DRAM в стиле VS-CAT, как ожидается, будет производиться путем объединения двух пластин — концепция, аналогичная YMTC Xtacking. Ожидается, что при укладке 3D-памяти DRAM будет использоваться гибридное соединение между пластинами (W2W), технология, уже используемая в датчиках изображения NAND и CMOS (CIS).

В то же время Samsung также исследует 3D DRAM в стиле транзисторов с вертикальным каналом (VCT). В отрасли 3D DRAM в стиле VCT также называют 4F SQUARE, наиболее примечательной особенностью которой является вертикально ориентированная транзисторная структура. Если Samsung успешно разработает эту технологию, площадь кристалла может сократиться примерно до 30% от первоначального размера.

Ли сообщил, что Samsung представит прототипы 4F SQUARE в 2025 году. Напротив, два основных конкурента Samsung на рынке DRAM, SK Hynix и Micron, решили разработать 3D-технологию со стилем многоячеечных ячеек.

Кроме того, Samsung упомянула о возможности впервые применить к DRAM технологию Backside Power Delivery Network (BSPDN). BSPDN считается очень сложной технологией, и Samsung планирует внедрить технологию BSPDN в 2-нм техпроцессе уже в 2025 году.

Оставить комментарий