Обзор рынка производства памяти с высокой пропускной способностью (HBM)

Samsung: Производство HBM увеличится в 2,5 раза в 2024 году и еще в 2 раза в 2025 году

Samsung Electronics начала расширять поставки HBM3 с четвертого квартала 2023 года. До этого в сообщениях Samsung в четвертом квартале 2023 года указывалось, что клиентам были предоставлены образцы HBM3e следующего поколения с 8-слойным стеком и планируется начать ее массовое производство в первой половине этого года. Хан Цзинь-ман, исполнительный вице-президент, отвечающий за полупроводниковый бизнес Samsung в США, заявил на выставке CES 2024 в этом году, что объем производства чипов HBM Samsung увеличится в 2,5 раза по сравнению с прошлым годом и, согласно прогнозам, снова удвоится в следующем году. Представители Samsung также сообщили, что компания планирует увеличить максимальное производство HBM до 150 000–170 000 единиц в месяц до четвертого квартала этого года, чтобы конкурировать на рынке HBM в 2024 году. Ранее Samsung Electronics потратила 10,5 млрд вон на приобретение завода и оборудования Samsung Display, расположенного в городе Тяньань, Южная Корея, для расширения мощностей HBM. Они также планируют инвестировать от 700 миллиардов до 1 триллиона вон в строительство новых упаковочных линий.

SK Hynix: в марте начнет массовое производство первой в мире широкополосной памяти пятого поколения HBM3e

Согласно последнему сообщению корейского СМИ Moneytoday от 20 февраля, SK Hynix начнет массовое производство первой в мире памяти пятого поколения с высокой пропускной способностью HBM3e в марте этого года. Компания планирует поставить первую партию продуктов NVIDIA в течение следующего месяца. Однако в SK hynix отметили, что «не могут подтвердить какие-либо подробности, касающиеся ее партнера».

В своем финансовом отчете SK Hynix указала на планы по увеличению капитальных затрат в 2024 году с упором на высококлассные продукты хранения данных, такие как HBM. Ожидается, что мощности по производству HBM вырастут более чем вдвое по сравнению с прошлым годом. Ранее SK Hynix прогнозировала, что к 2030 году ее поставки HBM достигнут 100 миллионов единиц в год. В результате компания решила выделить примерно 10 триллионов вон (приблизительно 7,6 миллиардов долларов США) на капитальные затраты на 2024 год. Это представляет собой значительное увеличение по сравнению с прогнозируемыми капитальными затратами в размере от 6 до 7 триллионов вон в 2023 году. Основное внимание уделяется строительству и расширению заводов. В июне прошлого года корейские СМИ сообщили, что SK Hynix готовится инвестировать в технологическое оборудование для расширения возможностей упаковки HBM3 на своем заводе в Ичхоне. Ожидается, что к концу этого года объем технологического оборудования на этом заводе увеличится почти вдвое. Кроме того, SK Hynix также собирается построить современное производственное предприятие в Индиане, США. По данным Financial Times, этот южнокорейский производитель чипов будет производить на этом предприятии стеки HBM, которые будут использоваться для графических процессоров NVIDIA производства TSMC.

Micron: продолжаем преследование, делаем ставку на HBM4

Micron занимает относительно низкую долю на мировом рынке HBM. Чтобы сократить этот разрыв, Micron сделала значительную ставку на свой продукт следующего поколения HBM3e. Санджай Мехротра, генеральный директор Micron, заявил: «Micron находится на заключительной стадии сертификации нашего лучшего в отрасли HBM3e для использования в платформах NVIDIA Grace Hopper GH200 и H200 следующего поколения».

Micron планирует начать массовые поставки памяти HBM3e в начале 2024 года. Мехротра подчеркнул, что их новый продукт вызвал значительный интерес во всей отрасли, подразумевая, что NVIDIA, возможно, не будет единственным клиентом, в конечном итоге использующим HBM3e от Micron.

В этой конкуренции, где у него нет статуса лидера, Micron, похоже, делает ставку на еще не определенный стандарт HBM4 следующего поколения. Официальные объявления показывают, что Micron представила свою память HBM следующего поколения, предварительно названную HBM Next. Ожидается, что HBM Next будет предлагать емкости 36 ГБ и 64 ГБ, доступные в различных конфигурациях. В отличие от Samsung и SK Hynix, Micron не намерена объединять HBM и логические чипы в одном чипе. При разработке HBM следующего поколения корейские и американские производители памяти имеют разные стратегии. Micron может обратиться к AMD, Intel и NVIDIA с просьбой обеспечить более высокую скорость доступа к памяти с помощью комбинированных чипов, таких как HBM-GPU. Однако полагаться исключительно на один чип означает больший риск. По данным TrendForce, запуск HBM4 запланирован на 2026 год.

Ожидается, что характеристики и производительность, в том числе для NVIDIA и других CSP (поставщиков облачных услуг) в будущих приложениях продуктов, будут дополнительно оптимизированы. Поскольку спецификации развиваются в сторону более высоких скоростей, впервые в базовом кристалле HBM, также известном как кристалл Logic, будет использована пластина, изготовленная по 12-нм техпроцессу. Она будет предоставлена производителями чипов, что потребует сотрудничества между ними и производителями памяти для интеграции единого продукта HBM. Кроме того, по мере роста требований клиентов к вычислительной эффективности ожидается, что HBM4 будет развиваться за пределы существующего стека 12hi (12-уровневых) до конфигураций 16hi (16-уровневых). Ожидается, что увеличение количества слоев также приведет к увеличению спроса на новые методы укладки, такие как гибридное соединение. Продукты HBM4 12hi планируется выпустить в 2026 году, а продукты 16hi, как ожидается, дебютируют в 2027 году.