Samsung показала президенту США новейший 3-нм чип, а Qualcomm представила 4-нм процессоры

Это первый визит американского главы государства в азиатскую страну с момента его вступления в должность — 10 дней назад вступил в должность и новый президент Южной Кореи Юн Сок Ёль (Yoon Suk-yeol). Трёхдневный визит Байдена начался с посещения комплекса Samsung в г. Пхёнтхэке — это крупнейший в мире завод по производству полупроводниковой продукции, он расположен в 70 км к югу от Сеула.

Корейское агентство Yonhap News сообщает, что личную экскурсию по огромному комплексу американскому политику провёл вице-президент Samsung Electronics Ли Чжэ Ён (Lee Jae-yong). Компания показала господину Байдену 3-нм чип нового поколения, произведённый по технологии Gate-All-Around (GAA) — массовое производство таких полупроводников стартует в ближайшие месяцы.

Как говорят в Samsung, технология GAA позволяет снизить размеры компонентов на 35 %, обеспечивая при этом повышение производительности на 30 % или снижение электропотребления на 50 % в сравнении с чипами на основе техпроцесса 5 нм. Компания также заявила, что уже ведётся разработка технологических узлов 2 нм, а массовое производство на их основе запланировано на 2025 год.

Тем не менее, мировым лидером в контрактном производстве чипов остаётся тайваньская TSMC, которая, по версии аналитиков TrendForce, в IV квартале прошлого года удерживала 52,1 % мирового рынка, а занявшая второе место Samsung имела долю лишь 18,3 %.

Байден подчеркнул необходимость технологического партнёрства между США и Южной Кореей. «Эта фабрика тому доказательство, — сказал он. — Это даёт как Корее, так и Соединённым Штатам конкурентное преимущество в мировой экономике, если мы сможем сохранить устойчивость, надёжность и безопасность наших цепочек поставок».

В тот же день американский конкурент и партнер Samsung компания Qualcomm представила мобильный процессор Snapdragon 7 Gen 1, который будет производиться на предприятии Samsung по 4-нанометровой технологии. Чип рассчитан на применение в весьма продвинутых смартфонах среднего уровня.

Изделие объединяет восемь вычислительных ядер. Это одно ядро Cortex-A710 Prime с тактовой частотой 2,4 ГГц, три ядра Cortex-A710 Performance с частотой до 2,36 ГГц и четыре ядра Cortex-A510 Efficiency с частотой 1,8 ГГц.

В оснащение включены графический ускоритель Adreno 662 и модем Snapdragon X62 5G, который обеспечивает скорость загрузки данных до 4,4 Гбит/с. Предусмотрен движок искусственного интеллекта Qualcomm AI Engine седьмого поколения.

Процессор допускает использование до 16 Гбайт оперативной памяти LPDDR5-3200 и дисплеев формата QHD+ с частотой обновления 60 Гц. Поддерживается фотосъёмка с разрешением до 200 млн пикселей.

Среди прочего упомянуты контроллеры Wi-Fi 6E и Bluetooth 5.3, поддержка HDR10 и HDR10+, а также aptX Voice, aptX Lossless, aptX Adaptive и LE audio. Смартфоны на новой платформе смогут оснащаться технологией быстрой зарядки Qualcomm Quick Charge 4+.

Также Qualcomm анонсировала процессор Snapdragon 8+ Gen 1, предназначенный для использования во флагманских смартфонах. Новинка представляет собой улучшенную версию чипа Snapdragon 8 Gen 1.

Напомним, изделие Snapdragon 8 Gen 1 объединяет восемь вычислительных ядер, включая мощное ядро Kryo Prime с тактовой частотой до 3,0 ГГц, три ядра Kryo Performance с частотой 2,5 ГГц и четыре ядра Kryo Efficiency с частотой 1,8 ГГц. Новая платформа Snapdragon 8+ Gen 1 получила одно ядро Kryo Prime с тактовой частотой до 3,2 ГГц, три ядра Kryo Performance с частотой до 2,8 ГГц и четыре ядра Kryo Efficiency с частотой до 2,0 ГГц.

Остальные основные составляющие остались прежними. Новинка имеет движок искусственного интеллекта Qualcomm AI Engine седьмого поколения, графический ускоритель Adreno нового поколения с более высокой тактовой частотой и модем Snapdragon X65 5G. Новинка изготавливается на предприятии TSMC с применением 4-нанометровой технологии.

Для процессора Snapdragon 8+ Gen 1 заявлено 10-процентное повышение производительности CPU и GPU по сравнению с прародителем и 30-процентное улучшение энергетической эффективности CPU. Также отмечается снижение энергопотребления GPU на 30 %.

Реализована поддержка дисплеев 4K с частотой обновления до 60 Гц и QHD+ с частотой обновления до 144 Гц, оперативной памяти LPDDR5-3200, беспроводной связи Wi-Fi 6E и Bluetooth 5.3.

Аппараты на новой платформе готовят такие компании, как ASUS, Black Shark, Honor, iQOO, Lenovo, Motorola, Nubia, OnePlus, OPPO, Realme, RedMagic, Redmi, Vivo, Xiaomi и ZTE.