TSMC активно увеличивает производственные мощности по 2-нанометровым технологиям, рынок ожидает взрывной спрос

Компания намерена использовать 2-нанометровый процесс на всех трех заводах в Гаосюне, в дополнение к первоначально запланированному 2-нанометровому заводу в Баошане в Синьчжу. Кроме того, земля, недавно приобретенная в научном парке Синьчжу, также будет отведена под 2-нанометровую фабрику.

Как считает TrendForce это отражает сильное предпочтение 2-нанометрового процесса среди клиентов и подчеркивает уверенность TSMC в собственной 2-нанометровой технологии. Согласно сообщению TechNews после брифинга 18 числа, финансовый директор TSMC Венделл Хуанг заявил на встрече со СМИ, что высокий спрос на рынках высокопроизводительных компьютеров и смартфонов побудил к решению увеличить количество фабрик в Гаосюне по сравнению с первоначальным.

Как только три 2-нанометровых завода будут запущены в производство, Гаосюн станет важным производственным центром для 2-нанометрового процесса TSMC. Кроме того, с недавнего одобрения Комиссии по городскому планированию Министерства внутренних дел, земля в научном парке Синьчжу, предназначенная для использования TSMC, которая, как ожидается, будет доступна в июне 2024 года, также планируется для 2-нанометрового завода.

Недавние рыночные отчеты показывают, что TSMC, ведущий производитель полупроводников, собирается приступить к реализации своего плана по переходу на архитектуру GAA (Gate-All-Around), начиная с 2-нанометрового процесса. Ожидается, что фабрика по производству пластин P1 в Баошане, расположенная в научном парке Синьчжу, начнет установку оборудования уже в апреле 2024 года, а фабрика в Гаосюне, как ожидается, начнет производство с использованием архитектуры GAA для 2-нанометрового техпроцесса в 2025 году. Кроме того, в ответ на то, что Intel получила первое оборудование для воздействия EUV High-NA от ASML для своего усовершенствованного процесса 18A, TSMC указала, что она также планирует приобрести оборудование для воздействия EUV High-NA EUV. Однако текущие сроки предусматривают инженерную проверку оборудования для воздействия EUV High-NA в 2024 году с последующей постепенной интеграцией в производственный процесс.