В Корее прогнозируют появление «китайской ASML» к 2030 году

Как отмечается в своем докладе профессор Квон Сок Джун с кафедры конвергентной инженерии полупроводников Университета Сонгюнгван, Китай наращивает темпы производства полупроводникового оборудования. Он отметил, что страна использует разработанные внутри страны инструменты для литографии в глубоком ультрафиолетовом диапазоне, чтобы обойти ограничения США в отношении экстремальной ультрафиолетовой литографии.

Согласно прошлогоднему отчету EENews Europe , компания Huawei тестирует компоненты для системы экстремальной ультрафиолетовой литографии на своем заводе в Дунгуане. Источники, на которые ссылается автор доклада, сообщают, что оборудование может быть запущено в тестовое производство во втором квартале 2025 года, а полномасштабное производство планируется начать в 2026 году. В системе используется источник света на основе лазерной индуцированной плазмы (LDP) для генерации света с длиной волны 13,5 нм. Это более дешевая альтернатива лазерной плазме (LPP), которая используется в EUV-установках ASML.

Как пишет TrendForce, в настоящее время Китай развивает ключевые технологии, необходимые для производства современных полупроводников, в том числе источники света, оптические системы и прецизионное машиностроение. Кроме того, по словам Квона, Китай почти догнал США в производстве полупроводников с техпроцессом выше 10 нм, а также стремительно развивается производство полупроводниковых материалов, компонентов, оборудования и корпусов.

По мнению Квона, развитие полупроводниковой промышленности в Китае обусловлено рядом структурных преимуществ, в том числе большим внутренним рынком и многолетним стабильным государственным финансированием, что позволяет компаниям наращивать потенциал за счет долгосрочных экспериментов. Китай также вкладывает значительные средства в развитие кадрового потенциала: университеты расширяют факультеты, специализирующиеся на полупроводниках, программы магистратуры и чистые помещения, что часто поддерживается местными властями за счет снижения тарифов на электроэнергию и развития инфраструктуры.