разработка электроники

Материал более чем в три раза увеличивает межфазную электронную плотность в гетероструктуре GaN, расширяя дизайн…

Следующее поколение микроэлектроники будет основано на радикальном улучшении характеристик переключения…

Исследовательская группа из Киотского университета создала транзистор из карбида кремния (SiC), который работает…

По мере того как традиционные кремниевые полупроводниковые технологии приближаются к своим физическим пределам,…

Samsung на конференции Future of Memory and Storage (FMS) 2026 в Санта-Кларе, Калифорния, представила технологии…

Носимая электроника постепенно превращается из простых датчиков в многофункциональные устройства, способные…

Первая спецификация поддерживает емкость до 512 ГБ с использованием конфигураций стеков NAND с 8 и 16 уровнями…

В отличие от традиционных конструкций, где свет ограничен узким интерфейсом, новая архитектура использует для…

Межсоединения — провода, соединяющие транзисторы в цепи на микрочипах, — долгое время изготавливались из меди из-за…

Для создания полупроводников нового поколения и электронных устройств с низким энергопотреблением необходимо точно…