Иccледователи Northrop Grumman разработали методы размещения микроскопических алмазных структур внутри полупроводниковых приборов

Технология позволяет выращивать алмаз на обратной стороне устройства и внутри микроскопических каналов. Эти каналы обеспечивают прямой отвод тепла из областей, где температура может быстро повышаться. Компания уже провела испытания полупроводниковых технологий на основе алмаза с высокой мощностью. По ее словам, эти испытания подтвердили потенциал материала для создания передовой электроники.

Алмаз обладает исключительно высокой теплопроводностью. По данным Northrop Grumman, он может проводить тепло примерно в пять раз быстрее, чем медь. Благодаря этой способности чипы смогут работать с более высоким энергопотреблением, не нагреваясь до опасных температур.

Нитрид галлия сегодня остается основным материалом для мощных и радиочастотных устройств. Однако даже устройства на основе нитрида галлия сталкиваются с тепловыми ограничениями, поскольку инженерам требуется большая производительность при меньших размерах оборудования. Улучшенное охлаждение может помочь изменить этот компромиссный подход. На первом этапе проекта THREADS компания Northrop Grumman увеличила удельную мощность чипов в 3,3 раза. На втором этапе планируется увеличить удельную мощность еще более чем в три раза. В случае успеха можно будет создавать значительно более мощные радиочастотные передатчики, не увеличивая пропорционально размеры электроники.