Компания ChangXin Memory Technologies в понедельник завершила свой первый день на Шанхайской фондовой бирже STAR Market ценой акции в 49 юаней, что примерно на 466% выше цены предложения в 8,66 юаня.
Таким образом, рыночная капитализация единственного в Китае производителя DRAM составила около 3,3 триллиона юаней (487 миллиардов долларов), а сама компания заняла первое место на материковом рынке, опередив Промышленный и коммерческий банк Китая. Компания привлекла 57,92 млрд юаней (8,6 млрд долларов) в ходе крупнейшего в Азии IPO в 2026 году. Согласно проспекту эмиссии, основная часть средств, выделенных на проект, будет направлена на производство пластин и модернизацию процессов для уже производимой компанией DRAM, при этом на память с высокой пропускной способностью средства не выделены.
В проспекте эмиссии указано, что 29,5 млрд юаней будут распределены между тремя проектами: 13 млрд юаней пойдут на модернизацию технологии DRAM, 9 млрд юаней — на исследования DRAM следующего поколения, а 7,5 млрд юаней — на модернизацию линии по производству пластин памяти. В документе не упоминается отдельный проект по высокоскоростной памяти и не раскрывается информация о финансировании ближайшего расширения производства высокоскоростной памяти. Кроме того, CXMT не уточняет, на что пойдут оставшиеся примерно 28 млрд юаней, кроме как на оборотный капитал.
Обычная DRAM-память позволяет получить более чем в три раза больше битов на пластину, чем HBM, а SemiAnalysis прогнозирует выход 8-уровневой HBM3 от CXMT примерно в 25%. Стоимость одного бита DDR5 у CXMT более чем на 30% выше, чем у Samsung, SK hynix и Micron. По оценкам SemiAnalysis, в этом году CXMT увеличит объем производства DRAM примерно на 85 000 пластин в месяц по сравнению с 60 000 у SK hynix, 30 000 у Micron и 15 000 у Samsung.