AMD и Intel тестируют модуль, который обеспечивает скорость до 9200 млн транзакций в секунду
Высокая емкость модуля стала возможной благодаря передовым инновациям Micron в области вертикальных межсоединений. В этом продукте кристаллы DRAM расположены вертикально и соединены сквозными кремниевыми переходами (TSV), что позволяет максимально увеличить плотность отдельных модулей DRAM, сохраняя при этом производительность, необходимую для современных архитектур центров обработки данных. Модуль позволяет использовать до 12 ТБ оперативной памяти DDR5 на одном двухсокетном сервере с 24 слотами.
Для рабочих нагрузок, связанных с использованием памяти, таких как анализ данных на основе метода опорных векторов (SVM) в Spark, модули Micron RDIMM объемом 512 ГБ могут обеспечить до 1,4 раза более высокую производительность по сравнению с конфигурациями DDR5 объемом 256 ГБ. Модуль объемом 512 ГБ также дает значительные преимущества при работе с ресурсоемкими базами данных и платформами кэширования, включая RocksDB и Redis, повышая пропускную способность, увеличивая параллелизм и помогая эффективнее масштабировать наборы данных.
«По мере роста рабочих нагрузок в центрах обработки данных мы все больше задумываемся о том, как оптимизировать баланс между вычислительными мощностями, памятью и эффективностью всего стека, — сказал Даррин Алвес, директор по информационным технологиям инфраструктурных платформ в JPMorgan Chase. — Технологии памяти с большей емкостью, такие как RDIMM от Micron объемом 512 ГБ, помогут предприятиям поддерживать более крупные рабочие нагрузки в оперативной памяти, повысить эффективность использования ресурсов и гибкость, необходимую для масштабирования современных вычислительных сред».