На пленарной сессии форума «Золотая долина» в Новосибирском государственном университете (НГУ) учёные, представители высокотехнологичных компаний и вузов обсудили, как создаваемая в России исследовательская инфраструктура способствует укреплению экономики, появлению новых технологий и достижению технологической независимости страны. Участники привлекли внимание к развитию отечественной микроэлектроники, возможностям центров коллективного пользования и сотрудничеству науки с промышленностью.
Значительную часть доклада Директор Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН) академик РАН Александр Васильевич Латышев посвятил проектам, которые реализуются в ИФП СО РАН и в других НИИ в кооперации с вузами и промышленными предприятиями.
Одно из направлений — создание отечественных промышленных установок молекулярно-лучевой эпитаксии, предназначенных для выращивания высококачественных полупроводниковых кристаллических структур. Технологический процесс — молекулярно-лучевая эпитаксия — позволяет формировать тонкие слои материала с высокой точностью управляя их составом и структурой. Такие технологии нужны для изготовления современных полупроводниковых приборов и функциональных электронных компонентов.
«В Институте физики полупроводников разрабатываются производственно-ориентированные установки молекулярно-лучевой эпитаксии, работающие в автоматическом режиме, для выпуска гетероструктур на подложках диаметром до 150 мм», — рассказал ученый.
Он подчеркнул, что речь идёт о собственных технологических решениях, а не о воспроизведении зарубежных.
Разработкой оборудования для ионной имплантации занимаются специалисты Института ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН. Технология ионной имплантации позволяет внедрять определенные химические элементы в полупроводниковый материал для манипуляции его свойствами. Она используется на ключевых этапах изготовления микроэлектронных компонентов. ИЯФ СО РАН ведёт разработку двух типов имплантеров в кооперации с профильными организациями электронной промышленности.
«Цель разработки: импортозамещение и создание первых за многие годы российских ионных имплантеров для производства микросхем с проектными нормами до 90 нм», — подчеркнул Александр Латышев.
Другой крупный проект ИФП СО РАН связан с созданием автоматизированной установки контроля электрофизических параметров полупроводниковых пластин.
«Установка будет использоваться в особо чистых условиях, работать в автоматическом режиме, с пластинами от 150 до 300 мм», — сообщил директор ИФП СО РАН. Подобные системы необходимы для контроля качества материалов и технологических процессов при производстве микроэлектроники.
Ещё одна разработка Института физики полупроводников — оптический интерференционный микроскоп-профилометр, позволяющий исследовать рельеф поверхности с экстремально высокой точностью по вертикали. Помимо предельной разрешающей способности, микроскоп позволяет вести неразрушающий контроль рельефа поверхности.
«Микроскоп, который позволяет получать изображения с пикометровым разрешением. Вы не ослышались, именно с пикометровым! Хотя кажется, что такие характеристики недостижимы для оптического микроскопа. Но пикометровое разрешение по вертикали — это реально то, что реализуется и позволяет фиксировать изменения рельефа, дефекты атомарных масштабов», — сказал академик.