Applied Materials создала системы для производства чипов на 200-мм пластинах SiC

Это системы, предназначенные для работы с пластинами карбида кремния (SiC), используемого для изготовления силовых полупроводниковых приборов. По словам Applied Materials, новые системы помогут производителям перейти от использования 150-миллиметровых пластин к использованию 200-миллиметровых пластин. Указанный переход примерно вдвое увеличивает выход продукции в расчете на одну пластину, позволяя удовлетворять растущий спрос на силовые компоненты для электромобилей.

В системе химико-механической планаризации (CMP) Mirra Durum объединены операции полировки, контролируемого удаления материала, очистки и сушки пластины. Как утверждается, новая система продемонстрировала 50-кратное снижение шероховатости поверхности готовой пластины по сравнению с механически шлифованными пластинами SiC и трехкратное снижение шероховатости по сравнению с системами пакетной CMP.

Система «горячей» ионной имплантации VIISta 900 3D, рассчитанная на пластины SiC диаметром 150 и 200 мм, позволяет легировать полупроводниковый кристалл с минимальным повреждением кристаллической решетки, что приводит к снижению удельного сопротивления более чем в 40 раз по сравнению с имплантацией при комнатной температуре.